Fechar

1. Identificação
Tipo de ReferênciaTese ou Dissertação (Thesis)
Sitemtc-m21d.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34T/48CSA4E
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21d/2023/01.17.13.32
Última Atualização2023:02.13.17.53.49 (UTC) simone
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21d/2023/01.17.13.32.14
Última Atualização dos Metadados2023:03.13.16.42.23 (UTC) simone
Chave SecundáriaINPE-18646-TDI/3277
Chave de CitaçãoSilvaNeto:2023:EsFoCa
TítuloEstudos de formação de camadas homoepitaxiais de diamante CVD crescidas via descarga em plasma de microondas em 2,45ghz de alta potência com adição de enxofre
Título AlternativoStudies on the formation of cvd diamond homoepitaxial layers grown via high power microwave plasma discharge at 2.45GHz with addition of sulfur
CursoCMS-ETES-DIPGR-INPE-MCTI-GOV-BR
Ano2023
Data2022-11-29
Data de Acesso11 maio 2024
Tipo da TeseTese (Doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais e Sensores)
Tipo SecundárioTDI
Número de Páginas69
Número de Arquivos2
Tamanho3126 KiB
2. Contextualização
AutorSilva Neto, José Vieira da
BancaTrava-Airoldi, Vladimir Jesus (presidente/orientador)
Machado, João Paulo de Barros
Oliveira, Rogério de Moraes
Mineiro, Sergio Luiz
Martins, Gislene Valdete
Fraga, Mariana Amorim
Endereço de e-Mailjvneto.ifsp@gmail.com
UniversidadeInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
CidadeSão José dos Campos
Histórico (UTC)2023-01-17 13:33:07 :: jvneto.ifsp@gmail.com -> administrator ::
2023-01-19 16:37:01 :: administrator -> pubtc@inpe.br ::
2023-01-19 16:37:32 :: pubtc@inpe.br -> administrator ::
2023-02-13 14:40:29 :: administrator -> pubtc@inpe.br ::
2023-02-17 20:08:38 :: pubtc@inpe.br -> simone ::
2023-02-17 20:19:29 :: simone :: -> 2022
2023-02-17 20:19:47 :: simone -> administrator :: 2022
2023-03-13 16:41:50 :: administrator -> simone :: 2022
2023-03-13 16:42:23 :: simone :: 2022 -> 2023
2023-03-13 16:42:23 :: simone -> :: 2023
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Palavras-Chavediamante CVD
homoepitaxia
monocristal
plasma
dopagem tipo N (S)
CVD Diamond
single crystal
omoepitaxy
plasma
N type doping (S)
ResumoO diamante sintético obtido via técnicas CVD (do Inglês Chemical vapor Deposition) tem sido muito estudado tanto do ponto de vista científico como tecnológico, pelas semelhanças de suas propriedades quando comparado ao diamante natural. Entretanto, apenas recentemente sua investigação atraiu relevante interesse devido ao apelo cientifico na compreensão da origem das impurezas e defeitos relacionados à natureza da estrutura monocristalina, e também a compreensão do papel de diferentes dopagens, tipo P e tipo N, qualificando-o para aplicações em microeletrônica, sensores especiais, entre outros. Neste trabalho é proposto o estudo dos efeitos do crescimento de diamante CVD monocristalino com enxofre adicionado à mistura convencional dos gases utilizando-se diferentes precursores do elemento. Foram aplicadas técnicas de caracterização disponíveis no INPE como difratometria de raios-X de alta resolução, espectroscopia de infravermelho com transformada de Fourier e principalmente espectroscopia Raman e de fotoluminescência para verificar a formação de centros de cor, taxas de crescimento e estrutura cristalina e pôdese observar que camadas homoepitaxiais de boa qualidade química e estrutural foram obtidas para diferentes concentrações de metano adicionadas a mistura de gases contendo o precursor de enxofre. O desenvolvimento deste trabalho também envolveu a criação de metodologia, pela primeira vez na equipe de pesquisa DIMARE do COPDT/INPE e que não é ostensiva na literatura, para a homoepitaxia de diamante por CVD desde o controle do reator de plasma de micro-ondas até a definição de parâmetros de deposição. Este desenvolvimento envolveu a solução de diversos desafios relacionados ao crescimento epitaxial de diamante, a partir do sistema de cavidade ressonante disponível, melhorias e modificações foram implementadas para obter controle contínuo de temperatura por períodos prolongados através de um sistema de microposicionamento e circuito fechado de refrigeração a água e também foi implementado um sistema de prevenção de quedas de energia para que o sistema de deposição não desligasse em casos de flutuações na rede elétrica. ABSTRACT: Synthetic diamond obtained via CVD (Chemical Vapor Deposition) techniques has been much studied both from a scientific and technological approaches, due to the similarities of its properties when compared to natural diamond. However, only recently its investigation has attracted relevant interest due to the scientific appeal in understanding the origin of impurities and defects related to the nature of the single crystalline structure, and also the understanding of the role of P-type and N-type dopings, qualifying it for applications in microelectronics, special sensors, among others. This work proposes the study of the effects of single crystalline CVD diamond growth with sulfur added to the conventional mixture of gases. The characterization techniques available at INPE such as high resolution X-ray diffraction, Fourier transform infrared spectroscopy and mainly Raman and photoluminescence spectroscopies were employed to determine the formation of color centers, growth rates and crystal structure and homoepitaxial layers of good chemical and structural quality were obtained for different concentrations of methane in the gas mixture with the added sulfur precursor. The development of this work also involved the creation of a methodology, for the first time in the DIMARE of COPDT/INPE team and which is not conspicuous in the literature, for the homoepitaxy of diamond by CVD, from the control of the microwave plasma reactor to the definition of deposition parameters. Such development involved the solution of several challenges related to the epitaxial growth of diamond, different subsystems were implemented to the available resonant cavity system with other improvements and modifications to obtain continuous temperature control for extended periods through the design of a micropositioning system, water cooling closed circuit and power supply infrastructure to prevent the system shutdown due to electrical network fluctuations.
ÁreaETES
Arranjo 1urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção pgr ATUAIS > CMS > Estudos de formação...
Arranjo 2urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção a partir de 2021 > CGCE > Estudos de formação...
Arranjo 3urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção a partir de 2021 > CGIP > Estudos de formação...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta source
originais/@4primeirasPaginas.pdf 13/02/2023 11:32 215.3 KiB 
originais/Defesa.pdf 20/01/2023 08:19 239.5 KiB 
originais/Tese-Jose-Vieira-V4-R0_gerar PDF.pdf 19/01/2023 16:05 2.8 MiB
Conteúdo da Pasta agreement
autorizacao.pdf 13/02/2023 14:53 81.8 KiB 
4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP3W34T/48CSA4E
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/8JMKD3MGP3W34T/48CSA4E
Idiomapt
Arquivo Alvopublicacao.pdf
Grupo de Usuáriosjvneto.ifsp@gmail.com
simone
Visibilidadeshown
Licença de Direitos Autoraisurlib.net/www/2012/11.12.15.10
Detentor dos Direitosoriginalauthor yes
Permissão de Leituraallow from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhourlib.net/www/2021/06.04.03.40.25
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3F358GL
8JMKD3MGPCW/46KTFK8
8JMKD3MGPCW/46KUES5
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/bibdigital/2013/10.14.21.39 2
Acervo Hospedeirourlib.net/www/2021/06.04.03.40
6. Notas
Campos Vaziosacademicdepartment affiliation archivingpolicy archivist callnumber contenttype copyholder creatorhistory descriptionlevel dissemination doi electronicmailaddress format group isbn issn label lineage mark nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url versiontype


Fechar